存储器市场火热带动行业巨头霸占半数半导体营收Top10

1、存储器市场火热 带动行业巨头霸占半数半导体营收Top10；

2、博通拟并高通冲击台厂 牵动美陆产业发展；

3、发改委调查存储器价格添变数，移动式内存恐首当其冲；

4、潘健成看市况：NAND报价下季止跌；

5、磁共振/RF大显身手 无线充电前瞻技术拨云见日；

6、3D打印产业发展趋势分析 行业进入加速洗牌阶段；

集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！扫描文末二维码添加关注。

1、存储器市场火热 带动行业巨头霸占半数半导体营收Top10；

集微网消息，发表最新统计数据指出，在存储器市况持续火热的情况下，全球各大存储器厂商的营收均有显著成长，三星电子()更因而挤下英特尔(Intel)，成为全球营收规模最大的半导体厂。整体来说，2017年全球半导体市场规模比2016年成长22.2%，达4,197.2亿美元。

认为，2017年半导体市况蓬勃发展最主要的因素来自存储器短缺，其中DRAM价格成长高达44%，NAND Flash价格也上涨了17%。值得一提的是，NAND Flash价格是有统计数据以来，首次呈现上涨的局面。

除了三星之外，其他存储器厂商的营收成长幅度也相当惊人。SK海力士、美光的营收规模均成长近8成， 的营收更增长了120.2%。以NAND Flash为主要的东芝，则成长了29.2%。

2、博通拟并高通冲击台厂 牵动美陆产业发展；

博通有意并购高通，工研院IEK认为，若博通并购高通成真，不仅将冲击台湾产业，也将牵动美国与大陆产业发展，高通3月董事改选结果将受到各界高度关注。

博通()去年11月宣布，将以每股70美元的现金及股票并购高通()，若加上承接债务，交易总金额将高达1300亿美元。

除了并购金额是科技业史上最大规模外，博通并购高通后，将一举成为全球第3大半导体厂，仅次于英特尔(Intel)与三星()，这宗并购案可说是科技产业的超级大案。

不过博通的并购提案，被高通以「出价显著低估公司价值」为由拒绝，双方各自推出人选，将在3月高通股东会中角逐董事席次。

并购案目前尚未定案，但博通若并购高通，对产业将有不小影响，近来已是业界热门话题，台湾科学工业园区科学工业同业公会日前还发布新闻稿，希望政府正视并购案可能对产业带来的负面影响。

科学工业园区同业公会秘书长张致远表示，博通若成功并购高通，未来对晶片制造、封装等相关业者议价能力将大增，恐压缩国内业者获利空间与台湾产业发展。

除希望合并案须经过政府同意，张致远建议，政府未来在同意时也应附加条件，协助国内相关产业厂商争取合理的条件。

工研院产业经济与趋势研究中心(IEK)计画副组长杨瑞临也认为，博通若成功并购高通，势必会对台湾半导体产业造成影响。

杨瑞临指出，博通与高通都是台积电(2330)大客户，两公司若合并，不仅采购量将增加，采购议价能力将提升，随着两公司采购资讯趋于透明，未来也可能以较低的报价采购，台积电毛利率恐将面临下滑压力，封测厂日月光(2311)也将难逃受到影响。

至于对IC设计业的影响，杨瑞临认为，博通打算并购高通，主要是瞄准云端与未来的5G市场，若并购成功，包括联发科(2454)与美国业者英特尔及辉达恐将首当其冲，面临威胁。

其余台湾IC设计厂大多仰赖中国大陆市场，且产品线并未与博通及高通有正面竞争，杨瑞临预期，短期厂商应不致受到并购案的影响。

不过，杨瑞临预期，博通与高通合并，应会引起中国大陆高度关注，不排除可能刺激华为及阿里巴巴等大陆业者加速发展，以求自给自足，这将带动相关特殊应用晶片(ASIC)需求成长，台积电有机会从中受惠。

随着5G市场将于2020年起飞，大陆厂商又在博通与高通合并刺激下加速茁壮，杨瑞临忧心，台湾IC设计厂商恐将在未来的5G时代日渐式微。中央社

3、发改委调查存储器价格添变数，移动式内存恐首当其冲；

集邦咨询半导体研究中心()指出，目前正是DRAM与NAND Flash等各类别存储产品议价的关键时期，但由于近期中国国家发改委约谈三星半导体，可能将对存储器价格走势带来变量，预期行动式内存涨幅将较为收敛。

研究协理吴雅婷指出，从每单位容量来看，2017年DRAM价格上涨超过四成，同期NAND的价格上涨幅度也逼近四成水位。该事件的起因为中国智能手机厂商无法承受内存持续涨价，因此向中国发改委投诉，希望能够抑制后续以三星为首的内存厂商价格涨势，并且清查其是否有垄断的疑虑。根据资料，三星去年第三季在全球DRAM产值的市占率为45.8%，为全球第一；NAND产值的市占率约为37.2%，同样是产业龙头。

服务器内存涨价将持续，行动式内存第一季涨幅缩小为3%

就DRAM市场不同的产品类别来看，虽然中国地区的PC以及服务器厂商同样对价格上扬感到不满，但由于产品本身的获利还能够维持，在不积极增加单机搭载内存容量的策略之下，还可以有效控管成本。尤其以目前最为缺货的服务器内存而言，自去年第三季度起，随着北美数据中心建案导致供货吃紧进而带动涨幅，整体备货动能超出预期。

展望今年上半年，因原厂对产能计划趋于保守，实质新产能开出将落于下半年，导致上半年供给仍然受限，整体市场仍然吃紧；虽然市场传出中国发改委介入价格制定的消息，但对于价格涨幅并不会有太大的影响，预期在今年上半年服务器内存价格仍然会延续涨价的走势。

不过，今年第一季行动式内存价格可能会有较明显影响。在中国智能手机出货疲弱的大环境影响下，虽然整体DRAM仍呈现供货吃紧的状态，但以三星为首、率先调整对中国智能手机厂商的报价，行动式内存的涨幅已较先前收敛，从原先的5%的季成长缩小为约3%。

由于中国在近年内已成为内存产出的最大出海口，不管是内陆或是外销，透过中国所购买的内存比重持续增加，因此官方的介入恐怕对价格产生实际的变化。以三星半导体为例，在去年一整个年度，中国地区贡献内存事业处的营收就已超过五成，因此对中国政策的改变维持很高的关注程度。

发改委介入调查，三星可能将改变出货比重并提前扩产计划

就三星本身而言，所有产品类别中，DRAM平均销售单价(per Gb)以行动式内存产品最低，尤其明显低于服务器内存与绘图用内存，发改委的介入使得三星无法大幅度调涨行动式内存价格，在获利空间的考虑下，三星以及其他的DRAM供货商会更快速地将产能移转到获利较高的产品出货，使得后续行动式内存的出货比重进一步下修的可能性高。

除此之外，若相关行政力量的影响持续存在，三星为抑制DRAM价格的涨幅，不排除可能提前其DRAM扩产计划。三星关注度最大的平泽厂二楼，原先预定在今年下半年才会大幅投片，但为了减缓价格涨势，三星可能提前其扩厂速度，不过截至目前，三星尚未做出最终决定。

另外，以NAND Flash而言，不论在SSD、eMMC/UFS，还是晶圆/颗粒上，由于本身市场就普遍预期价格逐渐下滑，并且三星在上述应用市场的影响力不如在DRAM强势，所以发改委事件对于NAND的报价并没有显著的影响。指出，2018年上半年需求不如预期，但3D产能仍不断开出，市况将转变成供过于求，导致NAND Flash价格持续走跌的机率升高。

4、潘健成看市况：NAND报价下季止跌；

群联（8299）董事长潘健成预估，本季快闪存储器（NAND Flash）价格将下跌三成，不过他强调，随售价下滑，带动终端买气增温、需求爆发，预料第2季报价将会止跌，甚至开始回升。

潘健成表示，本季NAND Flash售价下滑，对群联来说是好事，主因价格下跌，很多客户一天的下单量，几乎是过去一周的量，透露市场需求还是相当强劲。

他强调，由于主要存储器往3D NAND Flash发展，在不增产能下，一片3D NAND Flash产出的颗粒数不增反减，但位元数却倍增。他认为各厂增加产能，主要是满足各类应用需求大增，各存储器厂虽会在新产能增加下降价，但价格不可能崩盘，原因这些厂商不会亏本卖，还是会维持一定的获利。

潘健成认为，去年NAND Flash涨幅逾倍，预估首季跌三成，各主要供应商还是会维持稳定获利局面。

他认为，第3季进入市场旺季，届时需求又会提升，因此首季价格下跌，也是群联大举备货的好时机。有分析师指群联营运高峰落在2017年，潘健成对此不愿评论，但强调公司正努力布局，力拼2018或2019年营运超越2017年高峰水位。

潘健成也针对快速成长的固态硬碟（SSD） 控制芯片订单成长目标，他说，去年SSD控制芯片出货2,300万颗，今年目标成长到4,000万颗，以全球SSD控制芯片1.8亿颗市场规模来看，市占率逾二成，是非原厂控制芯片当中最大。经济日报

5、磁共振/RF大显身手 无线充电前瞻技术拨云见日；

尽管目前磁共振与射频(Radio , RF)无线充电技术未能进驻市场规模最大的智慧型手机，然而这两项技术因具备能远距离传输电力的优势，产学研界皆努力突破技术瓶颈，试图拓展可行应用，近来也已有了重大突破。

磁共振( , MR)无线充电技术相对于磁感应技术具有能够提供更高功率电力，并且能够同时为多台设备供电的特性，始终是人们对于无线充电使用情境的最终极想像。尽管目前在市面上还少见导入磁共振无线充电技术的商用产品，然而在技术的开发已有相当突破。

共振式实现多设备同时充电

在2018国际固态电路研讨会( Solid-State , ISSCC)入围论文中，便有一篇来自交通大学团队发表的作品，成功以「共振式氮化镓元件」达到高功率、一对多设备的磁共振无线充电。

目前在市场上相对主流的磁感应无线充电技术，充电设备必须要直接碰触到充电板，使用者体验与有线充电并无太大不同，无法发挥无线充电的便利性优势。另一方面，磁感应无线充电技术较容易造成接收端过热，因此充电功率提升亦面临瓶颈。以上两大磁感应的缺点，磁共振技术皆能够解决。

交通大学电机工程学系系主任陈科宏(图1)表示，在该论文研究中发表的共振式无线充电传输系统，发射端能够一次发出70W电力，目前手机大约能够接收10W~15W电力，因此一个发射器可以做到同时对5支手机充电，并且传输距离可以拉到30公分；70W的发送功率亦已经可供应笔记型电脑的充电需求。在未来，该系统将会致力于持续提升发送端的功率，希望能够将规格提升至100W，达到和USB PD同等的充电效率。

图1 交通大学电机工程学系系主任陈科宏表示，未来将会致力于持续提升「共振式氮化镓元件」系统发送端的功率，希望能够将规格提升至100W，达到和USB PD同等的充电效率。

共振式供电应用多

共振式供电技术不只能用在无线充电，若以「无线供电」的方向思考，应用范围将会更大。陈科宏举例，电动脚踏车会在车体内建置多个感测器以侦测上下坡等路况，若能在脚踏车的各种不同元件与主电池之间导入磁共振技术作为供电传输，能大幅减低电线耗损所带来的维修成本。然而由于距离将超过30公分，因此技术还需要持续开发精进。

另一方面，氮化镓(GaN)材料不只能使用在共振式无线充电设备，在中功率至高功率的电源相关应用上皆有很好的效果，未来也将成为电动车领域很重要的材料。陈科宏进一步分享，随着该材料的应用研究增加，成本也正在逐渐压低，预计在2020年就能看到大量产品开始使用氮化镓材料。

BLE达成多点通讯

定义无线充电标准需要考虑的因素之一是选择一个有效的通讯协议。为了达到最佳的充电效率，充电器和设备之间必须交换一些参数，包括电池类型和充电水准。除此之外，充电器还应该知道设备什么时候充满电，可以最小化充电时间，以避免能源浪费。有很多协议可以达到此目的，已经探索过的选项之一是使用短程无线通信，比如NFC。但是NFC的主要缺点是它只能支持点对点通信，无线充电时可能需要多点通讯，从而几个设备可以在一个充电座上同时充电。

CEVA连接产品事业部销售和市场总监Franz (图2)表示，因此CEVA决定使用由联盟进行管理的低功耗蓝牙标准(BLE)规范。使用基于BLE设计的一大优点是大部分可穿戴设备已经包含了BLE无线技术。如果设备没有处于其他考量需要导入NFC，就不需要添加额外的专用射频支持无线充电。

图2 CEVA连接产品事业部销售和市场总监Franz 表示，使用基于BLE设计的一大优点是大部分可穿戴设备已经包含了BLE无线技术。

A4WP BLE规范是一个相对简单和标准的蓝牙协议。该规范在发射和接收端之间建立双向控制连接，可以精确控制充电过程，正确和有效的置换能源。该规范亦可使用低功耗蓝牙通用属性框架(GATT)简化了连接过程。这允许源设备和邻近设备进行配对，而不需要人工设定。

穿戴式装置适合RF充电

陈科宏表示，单就技术上而言，RF无线充电技术已能够提升至手机所需要的充电功率，然而若将RF功率提升至高功率将会同时带来高电磁波，可能造成人体健康上的疑虑。

然而，在物联网(IoT)或是穿戴式装置上，RF无线充电技术已能看到非常成熟的应用出现。戴乐格()半导体与合作推广的RF射频无线充电技术，便已开始导入各种相关设备。

表示，相较于其他以线圈为基础的无线技术，RF天线的解决方案更有弹性。小型接收天线适合各种不规则形状的小型装置，而且完全不影响工业效能的设计，让制造商可以把技术整合到很多穿戴式装置，不只是常见的智慧手环、助听器、入耳式耳机设备，更有厂商将应用延伸至珠宝、衣服的感测器等等。举例而言，加拿大服饰品牌Myant已于2018年11月发布导入技术的SKIIN服饰感测器(图3)。

图3 加拿大服饰品牌Myant已于2018年11月发布导入技术的SKIIN服饰感测器。

IoT应用RF就位

指出，该公司特别设计的蓝牙低功耗晶片就是针对物联网装置的最低功耗解决方案，并已于2017年达到超过1亿颗出货量。也将该公司的AC/DC控制器与发射器设计整合，而 蓝牙低功耗晶片的电池充电器技术则在与接收器整合，借此优化效率。

由于具备了提供完整物联网晶片产品阵容的能力，得以提供厂商完整的系统平台解决方案，提供快速上市、成本优化的产品。因此，非常看好2018年RF无线充电技术在物联网市场的发展。

进一步分享，在未来将藉由通过验证的Mid Field解决方案，持续扩大RF无线充电安全传输接收的有效范围。与也将持续合力生产更小封装的RF-to-DC晶片，期待推出更小型的解决方案。同时，也将藉由GaN技术提升发射器与接受器的效能，预期功率将从数毫瓦()提升至瓦(Watt)单位。新电子

6、3D打印产业发展趋势分析 行业进入加速洗牌阶段；

目前我国在3D打印已有部分技术处于世界先进水平。其中，激光直接加工金属技术发展较快，已基本满足特种零部件的机械性能要求。在这方面，西北工业大学的黄卫东团队采用这类技术直接制造金属零件，并已成功对航空发动机叶片进行了再制造修复。

3D打印产业发展趋势分析 行业进入加速洗牌阶段

中国3D打印发展近30年，但重大技术方面突破不理想，主要在于缺乏原创技术，核心人才严重短缺，3D打印技术有待进一步提高。同时，3D打印应用市场发展不充分，目前在航空航天、汽车、模具、医疗卫生，文化创意等领域的应用仅占很小的市场份额。

近年来，中国3D打印行业整体规模逐渐扩大，但“小而散”的现象依然突出。大约500家企业进入3D打印领域，但普遍规模偏小，核心竞争力不强。由于设备和材料等成本太高，应用市场没有打开，很多企业处于观望状态。如果实现规模化应用，成本有望显著降低，预计需要3-5年时间。

据前瞻产业研究院发布的《3D打印产业市场需求与投资分析报告》数据显示， 2014年国内3D打印市场规模约为47.4亿元，实现翻倍式增长。2015年我国3D打印市场规模达到78亿元。预计2017年我国3D打印产业规模将达到173亿元，未来五年(2017-2021)年均复合增长率约为41.36%，2021年产业规模将达到691亿元。

中国3D打印产业规模预测（来源：前瞻产业研究院整理）

业内人士指出，目前国内3D打印领域研发实力薄弱，人才是关键，需要系统性培养更多专业化人才和应用型人才。应从基础性工作开始，把基础工作做实，苦练“内功”，不要急于求成。3D打印技术来源于材料，只有不断对材料改性，反过来对设备和工艺提出新的要求，才能实现技术的重大突破。

2018年，3D打印领域将开始洗牌，传统制造业领域大型企业将进一步兼并重组3D打印企业，没有核心竞争力的3D打印企业将面临被淘汰的局面。

前瞻产业研究院发布的《3D打印产业市场需求与投资分析报告》从市场概况、产业化进展、区域发展、政策分析、重点企业等多方面多角度阐述了3D打印市场的总体发展状况，并在此基础上对3D打印项目的投资潜力进行分析。更多疑问，可点击在线咨询与研究员实现一对一的沟通。

集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！扫描文末二维码添加关注。